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2SC3324GRTE85LF Technische Spezifikationen

TRANS NPN 120V 0.1A S-MINI

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 120V
Transistor Type NPN
Power - Max 150mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Supplier Device Package TO-236
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 125°C (TJ)
Frequency - Transition 100MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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