2SC4213BTE85LF Technische Spezifikationen

TRANS NPN 20V 0.3A USM

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20V
Transistor Type NPN
Power - Max 100mW
Package / Case SC-70, SOT-323
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 350 @ 4mA, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 300mA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 3mA, 30A
Supplier Device Package USM
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 125°C (TJ)
Frequency - Transition 30MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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