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2SC4793(PAIO,F,M) Technische Spezifikationen

TRANS NPN 1A 230V TO220-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 230V
Transistor Type NPN
Power - Max 2W
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 50mA, 500mA
Supplier Device Package TO-220NIS
Packaging Bulk
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition 100MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
2SC4700 ROHM Spezialisierte heiße ICs 60228
2SC4702XV-02UR HITACHI Spezialisierte heiße ICs 12327
2SC4702XV-TR-E RENESAS Spezialisierte heiße ICs 7683
2SC4702XVTR RENESAS Spezialisierte heiße ICs 9453
2SC4703 NEC Spezialisierte heiße ICs 2500
2SC4703-AZ CEL (California Eastern Laboratories) Transistoren - Bipolar (BJT) - HF 2629
2SC4703-AZ CEL RF-BJT-Transistoren
2SC4703-T1 RENESAS Spezialisierte heiße ICs 113813
2SC4703-T1 IC NEC Spezialisierte heiße ICs 1482
2SC4703-T1-A NEC Spezialisierte heiße ICs 5171

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