2SD2129,ALPSQ(M Technische Spezifikationen

TRANS NPN 3A 100V TO220-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
Transistor Type NPN
Power - Max 2W
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 2000 @ 1.5A, 3V
Current - Collector (Ic) (Max) 3A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 2V @ 12mA, 3A
Supplier Device Package TO-220NIS
Packaging Bulk
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 100µA (ICBO)
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2SD2100 UTG Spezialisierte heiße ICs 1978
2SD2100-TD Sanyo Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 40437
2SD2100-TD-E Sanyo Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 10000
2SD2101 HITACHI Spezialisierte heiße ICs 11799
2SD2101/D2101 HITACHI Spezialisierte heiße ICs 596
2SD2102 Original Spezialisierte heiße ICs 518
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2SD2105 HIT Spezialisierte heiße ICs 2666
2SD2107-C HITACHI Spezialisierte heiße ICs 10400

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