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2SJ305TE85LF Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 30V 0.2A S-MINI

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id -
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 Ohm @ 50mA, 2.5V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 92pF @ 3V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 200mA (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package SC-59
Power Dissipation (Max) 200mW (Ta)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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2SJ302 R Spezialisierte heiße ICs 11819
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2SJ302-Z N Spezialisierte heiße ICs 7000
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