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2SK2034TE85LF Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 20V 100MA USM

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id -
Supplier Device Package SC-70
Power Dissipation (Max) 100mW (Ta)
Package / Case SC-70, SOT-323
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100mA (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12 Ohm @ 10mA, 2.5V
Packaging Cut Tape (CT)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8.5pF @ 3V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
2SK2000 Original Spezialisierte heiße ICs 2908
2SK2002 FUJT Spezialisierte heiße ICs 8866
2sk2003 FUJT Spezialisierte heiße ICs 2202
2SK2003-01MR FUJI Spezialisierte heiße ICs 1312
2SK2004-01S FUJ Spezialisierte heiße ICs 2538
2SK2004-01S MOS Fujitsu Electronics America, Inc. Spezialisierte heiße ICs 1303
2SK2006 SHINDENGE Spezialisierte heiße ICs 2705
2sK2007 FUJT Spezialisierte heiße ICs 11788
2SK2008 HIT Spezialisierte heiße ICs 645
2SK2008/K2008 HITACHI Spezialisierte heiße ICs 608

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