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2SK2967(F) Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 250V 30A TO-3PN

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package TO-3P(N)
Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 132nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 68 mOhm @ 15A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5400pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
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