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HN3C10FUTE85LF Technische Spezifikationen

TRANSISTOR NPN US6

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - HF
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 12V
Supplier Device Package US6
Packaging Cut Tape (CT)
Operating Temperature -
Mounting Type Surface Mount
Frequency - Transition 7GHz
Current - Collector (Ic) (Max) 80mA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type 2 NPN (Dual)
Power - Max 200mW
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Noise Figure (dB Typ @ f) 1.1dB @ 1GHz
Gain 11.5dB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 20mA, 10V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
HN3C10F TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 6249
HN3C10FT TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 3342
HN3C10FU TOS Spezialisierte heiße ICs 63365
HN3C10FU TE85L TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 24000
HN3C10FU(TE85L) TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 23864
HN3C12FT TOS Spezialisierte heiße ICs 3463
HN3C12FU TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 6459

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