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HN3C51F-GR(TE85L,F Technische Spezifikationen

TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 120V
Transistor Type 2 NPN (Dual)
Power - Max 300mW
Package / Case SC-74, SOT-457
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Supplier Device Package SM6
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition 100MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
HN3C51F TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 458
HN3C51F-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays 2605
HN3C51F-GR Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 0
HN3C56FU TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 33224

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HN3C51F-GR(TE85L,F Markenhersteller: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip Aktie, HN3C51F-GR(TE85L,F Referenzpreis. HN3C51F-GR(TE85L,F Parameter, HN3C51F-GR(TE85L,F Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden HN3C51F-GR(TE85L,F Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden HN3C51F-GR(TE85L,F Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, HN3C51F-GR(TE85L,F Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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