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HN4B01JE(TE85L,F) Technische Spezifikationen

TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ESV PLN

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN, PNP (Emitter Coupled)
Power - Max 100mW
Package / Case SOT-553
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 10MA, 100MA
Current - Collector (Ic) (Max) 150mA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA
Supplier Device Package ESV
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition 80MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
HN4B01JE(TE85L OSHIBA Spezialisierte heiße ICs 2782
HN4B04J TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 2894
HN4B04J(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays 2657

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HN4B01JE(TE85L,F) Markenhersteller: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip Aktie, HN4B01JE(TE85L,F) Referenzpreis. HN4B01JE(TE85L,F) Parameter, HN4B01JE(TE85L,F) Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden HN4B01JE(TE85L,F) Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden HN4B01JE(TE85L,F) Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, HN4B01JE(TE85L,F) Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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