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RN1102CT(TPL3) Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Power - Max 50mW
Package / Case SC-101, SOT-883
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 250µA, 5mA
Supplier Device Package CST3
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 50mA
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RN1101 TOSHI Spezialisierte heiße ICs 3078
RN1101 TE85L TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 146201
RN1101(TE85L) TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 3116
RN1101,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2747
RN1101ACT TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 20449
RN1101ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2783
RN1101CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 60000
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RN1101FS TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 2266
RN1101FS(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 2000

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