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RN1102MFV,L3F Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W VESM

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Power - Max 150mW
Package / Case SOT-723
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 5mA
Supplier Device Package VESM
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Packaging Original-Reel®
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
RN1101 TOSHI Spezialisierte heiße ICs 3078
RN1101 TE85L TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 146201
RN1101(TE85L) TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 3116
RN1101,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2747
RN1101ACT TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 20449
RN1101ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2783
RN1101CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 60000
RN1101F TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 30242
RN1101FS TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 2266
RN1101FS(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 2000

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RN1102MFV,L3F Markenhersteller: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip Aktie, RN1102MFV,L3F Referenzpreis. RN1102MFV,L3F Parameter, RN1102MFV,L3F Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden RN1102MFV,L3F Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden RN1102MFV,L3F Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, RN1102MFV,L3F Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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