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RN1111CT(TPL3) Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) -
Power - Max 50mW
Package / Case SC-101, SOT-883
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 250µA, 5mA
Supplier Device Package CST3
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 300 @ 1mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 50mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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RN1110(T5LFT) TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 4100
RN1110,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2529
RN1110ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2553
RN1110CT TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 70500
RN1110CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2622
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RN1111CT(TPL3) Markenhersteller: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip Aktie, RN1111CT(TPL3) Referenzpreis. RN1111CT(TPL3) Parameter, RN1111CT(TPL3) Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden RN1111CT(TPL3) Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden RN1111CT(TPL3) Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, RN1111CT(TPL3) Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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