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RN1309,LF Technische Spezifikationen

X34 PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) 22 kOhms
Power - Max 100mW
Other Names RN1309LF
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount USM
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Supplier Device Package USM
Resistor - Base (R1) 47 kOhms
Package / Case SC-70, SOT-323
Mounting Type Surface Mount
Frequency - Transition 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 5mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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