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RN1401,LF Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 4.7k
Power - Max 200mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Supplier Device Package S-Mini
Resistor - Base (R1) (Ohms) 4.7k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
RN1401 TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 56104
RN1401 IC Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 9439
RN1401(T5L ,F ,T) Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 15000
RN1401(TE85L Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 3378
RN1401(TE85L ,F) Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 14959
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