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RN1412TE85LF Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) -
Power - Max 200mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Supplier Device Package S-Mini
Resistor - Base (R1) (Ohms) 22k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
RN1410 TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 4939
RN1410(XK) Original Spezialisierte heiße ICs 12000
RN1410,LF Toshiba Semiconductor and Storage Vorbelastete BJT-Transistoren
RN1410LF Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 54481
RN1411 TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 375807
RN1411 TE85R TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 13485
RN1411(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 2000
RN1411,LF Toshiba Semiconductor and Storage Vorbelastete BJT-Transistoren
RN1412 TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 30000
RN1412,LF Toshiba Semiconductor and Storage Vorbelastete BJT-Transistoren

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