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RN1501(TE85L,F) Technische Spezifikationen

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 4.7k
Power - Max 300mW
Package / Case SC-74A, SOT-753
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Supplier Device Package SMV
Resistor - Base (R1) (Ohms) 4.7k
Packaging Cut Tape (CT)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
RN1501 TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 6317
RN1502 TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 14108
RN1502(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2520
RN1502TE85L TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 6500
RN1503 TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 17131
RN1503 (TE85R) Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 6000
RN1503(TE85L TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 12257
RN1503(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 12500
RN1504 TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 41950
RN1505 TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 3480

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