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RN1605TE85LF Technische Spezifikationen

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47k
Power - Max 300mW
Package / Case SC-74, SOT-457
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Supplier Device Package SM6
Resistor - Base (R1) (Ohms) 2.2k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
RN1601 TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 1344
RN1601(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2598
RN1602 TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 100253
RN1602(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2766
RN1602-TE12L TOS Spezialisierte heiße ICs 7561
RN1603 TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 12426
RN1603(TE85L) TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 2559
RN1604 TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 5397
RN1604(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2548
RN1604-TEE85L TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 2500

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RN1605TE85LF Markenhersteller: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip Aktie, RN1605TE85LF Referenzpreis. RN1605TE85LF Parameter, RN1605TE85LF Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden RN1605TE85LF Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden RN1605TE85LF Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, RN1605TE85LF Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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