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RN1708,LF Technische Spezifikationen

NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER47KOH

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / BJT-Transistor-Arrays
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Package / Case 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Part Status Active
Power - Max 200mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250μA, 5mA
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Resistor - Base (R1) 22k Ω
RoHS Status Non-RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Frequency - Transition 250MHz
Resistor - Emitter Base (R2) 47k Ω
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
RN1701 TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 6220
RN1701,LF Toshiba Semiconductor and Storage BJT-Transistor-Arrays
RN1701JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2561
RN1702 TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 3500
RN1702(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 710
RN1702,LF Toshiba Semiconductor and Storage BJT-Transistor-Arrays
RN1702JE TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 4347
RN1702JE(TE85L TOS Spezialisierte heiße ICs 4500
RN1702JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 4000
RN1703 TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 18526

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