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RN1903FE,LF(CT Technische Spezifikationen

NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER22KOH

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / BJT-Transistor-Arrays
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Package / Case SOT-563, SOT-666
Part Status Active
Power - Max 100mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 10mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250μA, 5mA
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Resistor - Base (R1) 22k Ω
RoHS Status Non-RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Frequency - Transition 250MHz
Resistor - Emitter Base (R2) 22k Ω
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
RN1901 TOS Spezialisierte heiße ICs 139395
RN1901 ,LF Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 12307
RN1901(T5L TOS Spezialisierte heiße ICs 6309
RN1901(T5L ,F ,T) Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 6000
RN1901(T5L,F,T) TOS Spezialisierte heiße ICs 6000
RN1901(T5L.F.T) TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 6500
RN1901(T5RSN TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 21424
RN1901(T5RSN ,D ,F ,T Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 21392
RN1901(T5RSN,D,F,T TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 24500
RN1901(T5RSNDFT TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 36388

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RN1903FE,LF(CT Markenhersteller: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip Aktie, RN1903FE,LF(CT Referenzpreis. RN1903FE,LF(CT Parameter, RN1903FE,LF(CT Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden RN1903FE,LF(CT Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden RN1903FE,LF(CT Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, RN1903FE,LF(CT Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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