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RN1908FE(TE85L,F) Technische Spezifikationen

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47k
Power - Max 100mW
Package / Case SOT-563, SOT-666
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Supplier Device Package ES6
Resistor - Base (R1) (Ohms) 22k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
RN1901 TOS Spezialisierte heiße ICs 139395
RN1901 ,LF Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 12307
RN1901(T5L TOS Spezialisierte heiße ICs 6309
RN1901(T5L ,F ,T) Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 6000
RN1901(T5L,F,T) TOS Spezialisierte heiße ICs 6000
RN1901(T5L.F.T) TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 6500
RN1901(T5RSN TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 21424
RN1901(T5RSN ,D ,F ,T Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 21392
RN1901(T5RSN,D,F,T TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 24500
RN1901(T5RSNDFT TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 36388

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