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RN1963FE(TE85L,F) Technische Spezifikationen

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 22k
Power - Max 100mW
Package / Case SOT-563, SOT-666
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Supplier Device Package ES6
Resistor - Base (R1) (Ohms) 22k
Packaging Cut Tape (CT)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
RN1961(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2656
RN1961FE TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 15495
RN1961FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 52000
RN1962 TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 3189
RN1962(TE85L Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 3208
RN1962(TE85L ,F) Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 3000
RN1962(TE85L,F) TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 3000
RN1962FE TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 6394
RN1962FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2561
RN1962FE(TE85L.F) Original Spezialisierte heiße ICs 0

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