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RN2109MFV,L3F
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RN2109MFV,L3F Technische Spezifikationen
X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
Power - Max | 150mW |
Other Names | RN2109MFVL3F |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Supplier Device Package | VESM |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Package / Case | SOT-723 |
Mounting Type | Surface Mount |
Detailed Description | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
RN2109MFV,L3F Unterlagen
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Datenblätter
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Andere schließen ein "RN210" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'RN210'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
RN2101 | TOSHIBA | Spezialisierte heiße ICs | 54000 |
RN2101 TE85L | TOSHIBA | Spezialisierte heiße ICs | 9000 |
RN2101(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet | 2738 |
RN2101(T5L,F,T) | Toshiba | Vorbelastete BJT-Transistoren | |
RN2101,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet | 2759 |
RN2101ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet | 2729 |
RN2101CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet | 2610 |
RN2101F | TOSHIBA | Spezialisierte heiße ICs | 8286 |
RN2101F(TPL3,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Spezialisierte heiße ICs | 6180 |
RN2101F(TPL3F) | TOSHIBA | Spezialisierte heiße ICs | 4500 |
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RN2109MFV,L3F Markenhersteller: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip Aktie, RN2109MFV,L3F Referenzpreis. RN2109MFV,L3F Parameter, RN2109MFV,L3F Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden RN2109MFV,L3F Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden RN2109MFV,L3F Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, RN2109MFV,L3F Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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