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RN2112,LF(CB Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) -
Power - Max 100mW
Package / Case SC-75, SOT-416
Frequency - Transition 200MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Supplier Device Package SSM
Resistor - Base (R1) (Ohms) 22k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
RN2110 TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 3320
RN2110,LF(CB Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2521
RN2110,LF(CB Toshiba Vorbelastete BJT-Transistoren
RN2110,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage Vorbelastete BJT-Transistoren
RN2110ACT Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 10376
RN2110ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2747
RN2110CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2709
RN2110F Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 3700
RN2110FT TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 8410
RN2110FV TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 8000

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