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RN2115MFV,L3F
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RN2115MFV,L3F Technische Spezifikationen
X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
Power - Max | 150mW |
Other Names | RN2115MFVL3F |
Manufacturer Standard Lead Time | 16 Weeks |
Detailed Description | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
Supplier Device Package | VESM |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Package / Case | SOT-723 |
Mounting Type | Surface Mount |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
RN2115MFV,L3F Unterlagen
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Datenblätter
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Andere schließen ein "RN211" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'RN211'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
RN2110 | TOSHIBA | Spezialisierte heiße ICs | 3320 |
RN2110,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet | 2521 |
RN2110,LF(CB | Toshiba | Vorbelastete BJT-Transistoren | |
RN2110,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Vorbelastete BJT-Transistoren | |
RN2110ACT | Toshiba Semiconductor and Storage | Spezialisierte heiße ICs | 10376 |
RN2110ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet | 2747 |
RN2110CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet | 2709 |
RN2110F | Toshiba Semiconductor and Storage | Spezialisierte heiße ICs | 3700 |
RN2110FT | TOSHIBA | Spezialisierte heiße ICs | 8410 |
RN2110FV | TOSHIBA | Spezialisierte heiße ICs | 8000 |
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RN2115MFV,L3F Markenhersteller: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip Aktie, RN2115MFV,L3F Referenzpreis. RN2115MFV,L3F Parameter, RN2115MFV,L3F Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden RN2115MFV,L3F Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden RN2115MFV,L3F Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, RN2115MFV,L3F Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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