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RN2702TE85LF Technische Spezifikationen

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Power - Max 200mW
Package / Case 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Frequency - Transition 200MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Supplier Device Package USV
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
RN2701 Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 6391
RN2701,LF Toshiba Semiconductor and Storage BJT-Transistor-Arrays
RN2701JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2690
RN2702 TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 3176
RN2702,LF Toshiba Semiconductor and Storage BJT-Transistor-Arrays
RN2702JE TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 11067
RN2703,LF Toshiba Semiconductor and Storage BJT-Transistor-Arrays
RN2703JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2683
RN2704 TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 17295
RN2704,LF Toshiba Semiconductor and Storage BJT-Transistor-Arrays

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