RN2710,LF Technische Spezifikationen

PNPX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER22KOH

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / BJT-Transistor-Arrays
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Package / Case 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Part Status Active
Power - Max 200mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250μA, 5mA
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Resistor - Base (R1) 4.7k Ω
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Frequency - Transition 200MHz
RoHS Status Non-RoHS Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
RN2710 TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 3280
RN2710JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2794
RN2711 TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 75247
RN2711(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2798
RN2711,LF Toshiba Semiconductor and Storage BJT-Transistor-Arrays
RN2711JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2601
RN2712JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2526
RN2713JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2745
RN2714 MOS Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 3494
RN2714,LF Toshiba Semiconductor and Storage BJT-Transistor-Arrays

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