RN2905FE,LF(CT Technische Spezifikationen

Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / BJT-Transistor-Arrays
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Package / Case SOT-563, SOT-666
Packaging Tape & Reel (TR)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Polarity PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO) -50V
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Frequency - Transition 200MHz
hFE Min 80
Continuous Collector Current -100mA
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Weight 3.005049mg
Part Status Active
Max Power Dissipation 100mW
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250μA, 5mA
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Emitter Base Voltage (VEBO) -10V
Resistor - Base (R1) 2.2k Ω
Resistor - Emitter Base (R2) 47k Ω
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
RN2901 TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 3331
RN2901(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2583
RN2901,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage BJT-Transistor-Arrays
RN2901FE TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 16000
RN2901FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2634
RN2902 TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 105117
RN2902(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2549
RN2902(T5RSNDFT Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 4762
RN2902(TE85R.F) Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 200
RN2902,LF Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2522

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