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RN2969(TE85L,F) Technische Spezifikationen

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 22k
Power - Max 200mW
Package / Case SC-101, SOT-883
Frequency - Transition 200MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Supplier Device Package US6
Resistor - Base (R1) (Ohms) 47k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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