RN4903,LF(CT Technische Spezifikationen

PNP + NPN BRT Q1BSR22KOHM Q1BER2

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / BJT-Transistor-Arrays
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Part Status Active
Power - Max 200mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 10mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250μA, 5mA
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Resistor - Base (R1) 22k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Frequency - Transition 200MHz 250MHz
Resistor - Emitter Base (R2) 22k Ω
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
RN4901 TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 66284
RN4901(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2505
RN4901(T5LND ,F) Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 1500
RN4901(T5LNDF) TOS Spezialisierte heiße ICs 1500
RN4901,LF Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2750
RN4901,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2521
RN4901FE TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 7100
RN4901FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage BJT-Transistor-Arrays
RN4902 TOSHIB Spezialisierte heiße ICs 56667
RN4902(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 6000

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