RN4984FE,LF(CT Technische Spezifikationen

Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / BJT-Transistor-Arrays
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Package / Case SOT-563, SOT-666
Packaging Tape & Reel (TR)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Polarity NPN, PNP
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250μA, 5mA
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Emitter Base Voltage (VEBO) -10V
Resistor - Base (R1) 47k Ω
Resistor - Emitter Base (R2) 47k Ω
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Weight 3.005049mg
Part Status Active
Max Power Dissipation 100mW
Number of Channels 2
Collector Emitter Voltage (VCEO) -50V
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Frequency - Transition 250MHz
hFE Min 80
Continuous Collector Current -100mA
RoHS Status RoHS Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
RN4981 TOS Spezialisierte heiße ICs 24430
RN4981,LF TOS Spezialisierte heiße ICs 3000
RN4981,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2623
RN4981FE TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 1765
RN4981FE,LF(CB Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2724
RN4981FE,LF(CB Toshiba BJT-Transistor-Arrays
RN4981FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage BJT-Transistor-Arrays
RN4981LF TOS Spezialisierte heiße ICs 3336
RN4982 TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 382799
RN4982 TE85R TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 3385

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