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SSM3J325F,LF Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id -
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series U-MOSVI
Power Dissipation (Max) 600mW (Ta)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.6nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package S-Mini
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150 mOhm @ 1A, 4.5V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 270pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Ta)
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SSM3J325F,LF Markenhersteller: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip Aktie, SSM3J325F,LF Referenzpreis. SSM3J325F,LF Parameter, SSM3J325F,LF Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SSM3J325F,LF Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SSM3J325F,LF Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SSM3J325F,LF Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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