SSM3J351R,LF Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 60V 3.5A SOT-23F

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series U-MOSVI
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Package / Case SOT-23-3 Flat Leads
Operating Temperature 150°C
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Detailed Description P-Channel 60V 3.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-23F
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) +10V, -20V
Supplier Device Package SOT-23F
Rds On (Max) @ Id, Vgs 134 mOhm @ 1A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SSM3J351R,LF(B SSM3J351R,LF(T SSM3J351RLF SSM3J351RLF(B SSM3J351RLF(T SSM3J351RLFTR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.1nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.5A (Ta)
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