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SSM3J35MFV,L3F Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 20V 0.1A VESM

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id -
Supplier Device Package VESM
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 Ohm @ 50mA, 4V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 12.2pF @ 3V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series π-MOSVI
Power Dissipation (Max) 150mW (Ta)
Package / Case SOT-723
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100mA (Ta)
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SSM3J01(TE85LF) TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 2564
SSM3J01F TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 50808
SSM3J01F(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 3000
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SSM3J35MFV,L3F Markenhersteller: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip Aktie, SSM3J35MFV,L3F Referenzpreis. SSM3J35MFV,L3F Parameter, SSM3J35MFV,L3F Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SSM3J35MFV,L3F Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SSM3J35MFV,L3F Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SSM3J35MFV,L3F Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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