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SSM3K7002BS,LF Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 60V 200MA SMD

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1 Ohm @ 500mA, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 17pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 200mA (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package S-Mini
Power Dissipation (Max) 200mW (Ta)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
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