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SSM3K72KCT,L3F Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 60V 0.4A

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series U-MOSVII-H
Power Dissipation (Max) 500mW (Ta)
Package / Case SC-101, SOT-883
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.6nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package CST3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 100mA, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 40pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 400mA (Ta)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
SSM3K TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 3200
SSM3K01F TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 11631
SSM3K01F (TE85LF) TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 3260
SSM3K01F(TE85L TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 1348
SSM3K01F(TE85L) TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 2000
SSM3K01F(TE85L) IC Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 1022
SSM3K01F(TE85L,F) TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 2588
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