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SSM6J512NU,LF Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 12V 10A UDFN6B

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series U-MOSVII
Power Dissipation (Max) 1.25W (Ta)
Package / Case 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19.5nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±10V
Supplier Device Package 6-UDFNB (2x2)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.2 mOhm @ 4A, 8V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 6V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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