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SSM6K211FE,LF Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series U-MOSIII
Power Dissipation (Max) 500mW (Ta)
Package / Case SOT-563, SOT-666
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.8nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±10V
Supplier Device Package ES6 (1.6x1.6)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 47 mOhm @ 2A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 510pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.2A (Ta)
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