SSM6N35AFU,LF Technische Spezifikationen

MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA US6

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1 Ohm @ 150mA, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SSM6N35AFU,LF(B SSM6N35AFULF SSM6N35AFULF(B SSM6N35AFULF-ND SSM6N35AFULFTR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.34nC @ 4.5V
FET Feature Standard
Detailed Description Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 250mA (Ta) 285mW (Ta) Surface Mount US6
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package US6
Power - Max 285mW (Ta)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Operating Temperature 150°C
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 36pF @ 10V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 250mA (Ta)
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