SSM6N36TU,LF Technische Spezifikationen

SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Package / Case 6-SMD, Flat Leads
Packaging Tape & Reel (TR)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 500mA Ta
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C
Part Status Active
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Power - Max 500mW Ta
Rds On (Max) @ Id, Vgs 630m Ω @ 200mA, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 46pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.23nC @ 4V
FET Feature Logic Level Gate, 1.5V Drive
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
SSM6N005L Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 10357
SSM6N005L ,EFF IC Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 10364
SSM6N005LEFF Spezialisierte heiße ICs 1249
SSM6N03FE TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 4254
SSM6N03FE TE85L TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 7474
SSM6N03FE TE85L ,F Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 7506
SSM6N03FE TE85L,F TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 7000
SSM6N04FU TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 3308
SSM6N04FU MOS VBSEMI Spezialisierte heiße ICs 17858
SSM6N05FU TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 5300

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