SSM6N43FU,LF Technische Spezifikationen

MOSFET 2N-CH 20V 0.5A US6

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 630 mOhm @ 200mA, 5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 46pF @ 10V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package US6
Power - Max 200mW
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.23nC @ 4V
FET Feature Logic Level Gate, 1.5V Drive
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 500mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
SSM6N005L Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 10357
SSM6N005L ,EFF IC Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 10364
SSM6N005LEFF Spezialisierte heiße ICs 1249
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