SSM6P47NU,LF Technische Spezifikationen

MOSFET SM Sig MOS 2 in 1 P-Ch -4A -20V 8V GS

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Active
Max Power Dissipation 1W
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.6nC @ 4.5V
Continuous Drain Current (ID) 4A
Drain to Source Breakdown Voltage -20V
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 6-WDFN Exposed Pad
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2014
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Power Dissipation 1W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 95m Ω @ 1.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Gate to Source Voltage (Vgs) 8V
FET Feature Logic Level Gate
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
SSM6P05FU TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 2602
SSM6P09FU T Spezialisierte heiße ICs 12915
SSM6P09FU MOS Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 3298
SSM6P151FE TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 3900
SSM6P15FE TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 17112
SSM6P15FE MOS Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 20427
SSM6P15FE(TE85L Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 39263
SSM6P15FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 88000
SSM6P15FE(TR3SONYF Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 32000
SSM6P15FE(TR3SONYF) Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 7505

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