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T2N7002AK,LM Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 60V 0.2A

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series U-MOSVII-H
Power Dissipation (Max) 320mW (Ta)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.35nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package SOT-23
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.9 Ohm @ 100mA, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 17pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 200mA (Ta)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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T2N7002AKLM Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 1205
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T2N7002BK ,LM MOS Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 3445
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T2N7002BK,LM(T Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 3000

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