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TC58BVG0S3HTAI0 Technische Spezifikationen

IC EEPROM 1GBIT 25NS 48TSOP

Produkteigenschaft Attributwert
Category Integrierte Schaltkreise (ICs) / Erinnerung
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Supply 2.7 V ~ 3.6 V
Speed 25ns
Packaging Tray
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Size 1Gb (128M x 8)
Interface Parallel
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 48-TSOP I
Series Benand™
Package / Case 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Memory Type Non-Volatile
Memory Format EEPROM
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
TC58BVG0S3HBAI4 Toshiba Memory America, Inc. Erinnerung 407
TC58BVG0S3HBAI4 Toshiba Semiconductor and Storage Erinnerung 6636
TC58BVG0S3HBAI4JDH TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 2576
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TC58BVG0S3HTA0 Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 619
TC58BVG0S3HTA00 Toshiba Semiconductor and Storage Erinnerung 91467
TC58BVG0S3HTA00 Toshiba Memory America, Inc. Erinnerung 2991
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TC58BVG0S3HTAI0 Toshiba Memory America, Inc. Erinnerung 3039

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