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TC58BVG2S0HTAI0 Technische Spezifikationen

IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP

Produkteigenschaft Attributwert
Category Integrierte Schaltkreise (ICs) / Erinnerung
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Supply 2.7 V ~ 3.6 V
Speed 25ns
Packaging Tray
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Size 4Gb (512M x 8)
Interface Parallel
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 48-TSOP I
Series Benand™
Package / Case 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Memory Type Non-Volatile
Memory Format EEPROM
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
TC58BVG0S3HBAI4 Toshiba Memory America, Inc. Erinnerung 407
TC58BVG0S3HBAI4 Toshiba Semiconductor and Storage Erinnerung 6636
TC58BVG0S3HBAI4JDH TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 2576
TC58BVG0S3HBAI6 Toshiba Semiconductor and Storage Erinnerung 1113
TC58BVG0S3HBAI6 Toshiba Memory America, Inc. Erinnerung 10367
TC58BVG0S3HTA0 Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 619
TC58BVG0S3HTA00 Toshiba Semiconductor and Storage Erinnerung 91467
TC58BVG0S3HTA00 Toshiba Memory America, Inc. Erinnerung 2991
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TC58BVG0S3HTAI0 Toshiba Memory America, Inc. Erinnerung 3039

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