TH58BYG2S3HBAI6 Technische Spezifikationen

IC EEPROM 4GBIT 25NS 67FBGA

Produkteigenschaft Attributwert
Category Integrierte Schaltkreise (ICs) / Erinnerung
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Supply 1.7 V ~ 1.95 V
Speed 25ns
Packaging Tray
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Size 4Gb (512M x 8)
Interface Parallel
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 67-VFBGA (6.5x8)
Series Benand™
Package / Case 67-VFBGA
Memory Type Non-Volatile
Memory Format EEPROM
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TH58BVG2S3HBAI4 Toshiba Memory America, Inc. Erinnerung 2673
TH58BVG2S3HTA00 Toshiba Semiconductor and Storage Erinnerung 549
TH58BVG2S3HTA00 Toshiba Memory America, Inc. Erinnerung 3172
TH58BVG2S3HTAI0 Toshiba Memory America, Inc. Erinnerung 2973
TH58BVG2S3HTAI0 Toshiba Semiconductor and Storage Erinnerung 5382
TH58BVG2S3HTAI0B4H TOSHIBA-KI OXIA Spezialisierte heiße ICs 1331
TH58BVG2S3HTAI0B4M TOSHIBA-KI OXIA Spezialisierte heiße ICs 4575
TH58BVG3S0FTA00 TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 349
TH58BVG3S0HBAI6 Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 3408
TH58BVG3S0HBAI6 IC Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 3457

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