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TJ60S04M3L(T6L1,NQ Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 40V 60A DPAK-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Supplier Device Package DPAK+
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.3 mOhm @ 30A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6510pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series U-MOSVI
Power Dissipation (Max) 90W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 125nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Ta)
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TJ60S04M3L TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 4747
TJ60S06M3L TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 6329
TJ60S06M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2606

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