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TK11A65W,S5X Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 650V 11.1A TO-220

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 450µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series DTMOSIV
Power Dissipation (Max) 35W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-220SIS
Rds On (Max) @ Id, Vgs 390 mOhm @ 5.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 890pF @ 300V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11.1A (Ta)
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TK11A65W,S5X Markenhersteller: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip Aktie, TK11A65W,S5X Referenzpreis. TK11A65W,S5X Parameter, TK11A65W,S5X Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden TK11A65W,S5X Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden TK11A65W,S5X Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, TK11A65W,S5X Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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