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TK17A80W,S4X Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 850µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series DTMOSIV
Power Dissipation (Max) 45W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-220SIS
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290 mOhm @ 8.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2050pF @ 300V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Ta)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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