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TK39J60W,S1VQ Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3P

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 1.9mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series DTMOSIV
Power Dissipation (Max) 270W (Tc)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
FET Feature Super Junction
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-3P(N)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65 mOhm @ 19.4A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4100pF @ 300V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 38.8A (Ta)
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TK39J60W,S1VQ Markenhersteller: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip Aktie, TK39J60W,S1VQ Referenzpreis. TK39J60W,S1VQ Parameter, TK39J60W,S1VQ Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden TK39J60W,S1VQ Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden TK39J60W,S1VQ Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, TK39J60W,S1VQ Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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